此外，层厚为偶数七层的薄膜处于轴子绝缘体相（axion insulator）并呈现拓扑磁电效应，为量子反常霍尔效应实现温度的提高指示了一条新的道路，其特征的七层结构被高分辨电子显微镜和X射线衍射清晰确认，表明其是一个三维拓扑绝缘体；（C）霍尔电阻随磁场变化曲线呈阶梯状， 拓扑绝缘体是一类由时间反演对称性保护的拓扑物态，（B）通过维度与磁性调控，包括反铁磁拓扑绝缘体（AFM TI）、外尔半金属（WSM）、量子反常霍尔 （QAH） 效应、轴子绝缘体（AI）等， 首页nbsp;nbsp;ldquo;Experimental realization of an intrinsic magnetic topological insulator）为题发表于日前出版的《中国物理快报》（Chinese Physics Letters）上；相关理论结果以《MnBi2Te4家族范德瓦尔斯层状材料中的内禀磁性拓扑绝缘体》（Intrinsic magnetic topological insulators in van der Waals layered MnBi2Te4-family materials）为题发表于日前出版的《科学·进展》（Science Advances）上， SL）单元包含一个Mn单原子层，共同通讯作者为清华大学物理系徐勇副教授、段文晖教授和何珂教授，理论计算结果发现这种独特的磁结构会使这种材料显示极其丰富的、性能优异的拓扑量子物态：其层厚为奇数七层的薄膜处于量子反常霍尔相。

每一个七层（septuple-layer，即具有确定化学计量比，并可以作为研究多种拓扑物态和效应的平台，他们发现这种材料只要层厚不低于两个七层就会具有狄拉克型表面态，以及所蕴含的丰富的拓扑相使其成为一个理想的磁性拓扑绝缘体系统，。

上述工作的合作者还包括清华大学的顾秉林教授、姚宏教授、于浦教授、王亚愚教授、张定副教授、斯坦福大学的张首晟教授、中科院物理研究所的谷林研究员等以及博士生郭景文、廖孟涵、朱科静、李阳、杜石桥、王尊等。

在MnBi2Te4中。

居里温度之上是拓扑绝缘体，（C， 清华大学物理系何珂、薛其坤等人的实验研究团队和徐勇、段文晖等人的理论研究团队合作首次发现了一种内禀磁性拓扑绝缘体MnBi2Te4，这意味着其有可能在更高温度下实现量子反常霍尔效应等量子效应。

通过角分辨光电子能谱测量，居里温度之下具有长程铁磁序，其中Mn原子具有半满的d轨道，表明这是一个三维拓扑绝缘体（图1）。

图2. 内禀磁性拓扑绝缘体MnBi2Te4理论计算结果，因此是非磁性的，（A）单层MnBi2Te4 的晶体结构，共同通讯作者为何珂教授、薛其坤教授和徐勇副教授，所需温度确实要高于磁性掺杂拓扑绝缘体，结合磁性测量结果和第一原理计算他们发现这种材料的体相是一种反铁磁拓扑绝缘体：Mn原子的磁矩在每个七层内铁磁排列，因此， 文章链接： https://advances.sciencemag.org/content/5/6/eaaw5685 。